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IXEN 60N120
IXEN 60N120D1
90
20
mJ
td(on)
100
ns
8
mJ
800
ns
E on
16
12
tr
80
70
60
50
t
E off
6
4
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
td(off)
600
400
t
8
V CE = 600 V
40
R G = 22 ?
4
0
Eon
V GE = ±15 V
R G = 22 ?
T VJ = 125°C
30
20
10
0
2
0
Eoff
T VJ = 125°C
tf
200
0
0
20
40
60
80
100 A 120
20
40
60
80
100 A
I C
I C
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
15.0
300
12
1200
I C
E on
mJ
12.5
10.0
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
= 50 A
T VJ = 125°C
td(on)
ns
250
200
t
E off
mJ
10
8
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
I C = 50 A
T VJ = 125°C
td(off)
ns
1000
800
t
7.5
150
6
600
5.0
Eon
tr
100
4
Eoff
400
2.5
50
2
200
0.0
0
20
40
60
80
0
100 ? 120
0
0
20
40
60
80
tf
0
100 ? 120
R G
R G
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
I CM
120
A
100
80
60
40
1
K/W
0.1
Z thJC
0.01
single pulse
diode
IGBT
0.001
20
R G = 22 ?
T VJ = 125°C
0
0.0001
IXEN60N120
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
t
Fig. 11
Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
? 2003 IXYS All rights reserved
4-4
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